少数载流子的作用
提问人：胡可 回答：3 浏览：1426 提问时间：2010/6/13 22:48:03 到期时间：2010/6/18 22:48:03 悬赏分：10+5+20
rt 少数载流子在多数载流子的影响下的作用
 | 同一种半导体材料中与多数载流子带相反电荷的载流子。如n型半导体中的空穴和p型半导体中的电子均为少数载流子。热平衡条件下，非简并半导体中电子浓度n与空穴浓度p满足
`np=n_i^2CT^3e^{-\frac{E_g}{KT}}` 其中ni为本征载流子浓度，Eg为禁带宽度。T为温度。因此在本征激发尚不显著的温度范围内，多数载流子浓度可以近似认为与掺杂浓度相等，基本不随温度而改变。少数载流子浓度随温度升高而迅速增加。对于同种半导体，掺杂浓度越高，少数载流子浓度越低。对于相同掺杂浓度，材料的禁带宽度Eg越大，少数载流子浓度越低。虽然热平衡少数载流子对电导的作用较小，但非平衡少数载流子对电导的作用较小，但非平衡少数载流子，如pn结正向注入的非平衡少数载流子，对器件的工作起支配作用。 回答者：汪令华 2010/6/15 0:09:28
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| 对于同种半导体，掺杂浓度越高，少数载流子浓度越低
回答者：番茄 2010/6/15 15:00:42
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| 准中性区域内，少数载流子扩散电流为主
回答者：李德英 2010/6/18 9:49:02
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